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Infineon Technologies SIDC09D60E6 UNSAWN
| Artikelnummer: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 20A WAFER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies SIDC09D60E6 UNSAWN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIDC09D60E6 UNSAWN.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 20 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Sawn on foil Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 150 ns Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 27 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 20A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer SIDC09D60 SIDC09D60E6 UNSAWN Einzelheiten PDF [English] SIDC09D60E6 UNSAWN PDF - EN.pdf -
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